半导体概念爆火:产业链深度剖析
近年来,半导体行业热度持续攀升,成为全球科技竞争的战略制高点。其产业链涵盖多个精细且关键的环节,每个环节都在技术迭代与产业发展中扮演着独特且重要的角色。
近年来,半导体行业热度持续攀升,成为全球科技竞争的战略制高点。其产业链涵盖多个精细且关键的环节,每个环节都在技术迭代与产业发展中扮演着独特且重要的角色。
集成电路的发展至今已有60余年,对更为强大性能芯片的追求使得芯片制造技术不断迭代升级。长期以来,基于紫外光源投影曝光光刻的芯片制造方法是大规模集成电路制造的唯一选择。然而,随着极紫外光刻机进入产线应用和不断性能优化,芯片制造已经进入了7nm及以下节点。对于摩尔
由ASML打造的EUV光刻机是现代芯片不可或缺的重要生产工具。尤其是随着芯片工艺来到了3nm之后,EUV光刻的重要性与日俱增。ASML也通过提高NA的方式,引领EUV光刻机进入到High NA时代,以满足客户更严苛的需求。
干法刻蚀技术作为半导体制造的核心工艺模块,通过等离子体与材料表面的相互作用实现精准刻蚀,其技术特性与工艺优势深刻影响着先进制程的演进方向,本文分述如下:
随着芯片制程不断缩小,光刻对晶圆平整度要求达到纳米级,而内部应力失衡或材料热膨胀系数失配引发的翘曲,会导致光刻对准失效、图形畸变等问题。今天我们将深入剖析晶圆翘曲在光刻工艺中的作用机制,系统阐述材料、工艺与检测等方面的控制策略,并结合实际案例,探索突破这一技术
研究机构TECHCET最新预测显示,受半导体市场复苏推动,2025年光刻材料收入预计增长7%,达到50.6亿美元。这一增长主要由先进光刻胶需求大幅增长驱动,特别是EUV光刻胶预计同比增长30%。
“ 纳米尺度3D打印技术采用“自下而上”的制造方法,通过精确操控材料的定向沉积,突破了传统工艺的局限,展现出广泛的应用潜力,尤其是在下一代微纳器件的原型设计和多功能结构构建中。”
据悉,这一增长主要由先进光刻胶需求大幅增长驱动,特别是EUV光刻胶预计同比增长30%。随着芯片产量增长,尤其是逻辑芯片和DRAM芯片领域先进节点器件产量提升,辅助材料和扩展材料也将呈现强劲增长态势。
近日,英国南安普敦大学宣布,成功开设了日本以外首个分辨率达 5 纳米以下的尖端电子束光刻 (EBL) 中心,可以制造下一代半导体芯片。这也是全球第二个,欧洲首个此类电子束光刻中心。
2025年5月7日晚上7点,我刚扒完最后一口外卖,手机突然被ASML的财报弹窗轰炸——「累计向中国交付超1400台光刻机」。嚯!这数字看得我筷子都掉了。要知道三年前老美刚逼着ASML签过「对华限售令」,现在他们却自曝家底,这操作比《甄嬛传》里的宫斗还刺激。
(导语:家人们炸了吗?中国科技树又双叒点歪了!复旦魔改芯片直接把ASML逼到天台抽烟,深圳小厂用菜刀雕出瑞士表,这波操作比大妈广场舞攻占华尔街还刺激!)
客观来说,单凭光刻掩模版几个字是无法讨论和判断技术难度的。掩模版并不仅仅是用在半导体领域,印刷电路版、显示面板、硬盘、乃至其它各种微图形加工的领域里,我们都有机会用到掩模版
在半导体制造的早期阶段,芯片制造主要遵循从电路设计到生产制造的单向线性流程。各个关键步骤间的信息传递和交接方法相对简单直接。例如,物理设计、掩膜合成、掩膜板写入、光刻优化、工艺优化、检测与量测以及最终对封装芯片进行测试等各个环节相对独立,信息交流非常有限,数据
电子束光刻作为下一代光刻技术的核心方向之一,其本质是利用电子波长短(
初创公司Lace Lithography AS(挪威卑尔根)正在开发一种光刻技术,该技术使用向表面发射的原子来定义特征,其分辨率超出了极紫外光刻技术的极限。
优化曝光与显影条件:通过实验校准最佳曝光剂量(如DUV/EUV光源调谐),并匹配显影液浓度和时间组合。
如今,这一预言得到了验证。最近,中国新锐企业携15款以中国山脉命名的光刻设备亮相上海半导体展会,涵盖第三代半导体、先进制程等领域,释放出国产设备技术突围的强烈信号。
苏弥的防护服内衬已被冷汗浸透。她盯着电子显微镜的成像屏——那片本应完美如蜂巢的3nm芯片沟槽中,一道锯齿状暗纹正随电子束扫描微微颤动,像毒蛇吐信。“第七次重复实验,Z轴偏移量0.32埃。”量子探针的机械臂在真空腔体内无声移动,纳米级钨针尖刺入沟槽时激起一串数据
4月11日,中国半导体行业协会发布重磅通知:集成电路“原产地”将以“晶圆流片地”为准,根据海关规则调整进口申报流程。此举迅速在产业界引发热议,被认为是中美半导体关税摩擦背景下的重要信号。
2025年4月10日,中国海关总署官网悄然更新一则关税调整公告。这则看似普通的技术性通知,却在全球半导体产业引发剧烈震动——美国对华芯片产品的关税税率从75%骤增至104%。就在公告发布的同一时刻,深圳龙华区某晶圆厂的无尘车间内,工程师们正对首台全国产28nm